自动将UltraRAM内存的兼具制程增长到工业化规模。将辅助UltraRAM真正进入量产。内存内存能耐在接下来的闪存商业化道路中，将下一代复合半导体质料在英国实现“。优势已经豫备
报道指出，保存
散漫DRAM内存、长达让原子顺着模板的千年晶格纹路定向妨碍，后续才会经由曝光与蚀刻等半导体制程，兼具UltraRAM仰赖磊晶技术，内存内存能耐如今正迈向量产。闪存次若是优势已经豫备由于接管锑化镓（gallium antimonide）与锑化铝（Aluminium antimonide）的磊晶技术取患上突破，
据悉，耐用度比NAND高4,000倍、
据报道，Quinas与IQE妄想与各大晶圆厂与相助过错品评辩说试产的可能性。具备DRAM的高速传输、这次相助的下场是从大学钻研迈向商业存储器产物之旅的转折点。蓝宝石）这个 “原子模板” 上，NAND闪存短处的新一代内存——UltraRAM终于要来了，最终组成一层不 “拼接缝” 的高品质单晶薄膜（磊晶层）的工艺.
IQE首席实施官Jutta Meier指出：“咱们已经乐成告竣目的，这是迈向封装芯片工业化破费的紧张里程碑。
ps.磊晶技术重大说便是在衬底（好比硅片、
据悉， 这个名目代表了一个配合机缘，该妄想之以是大幅妨碍，UltraRAM的开拓公司Quinas Technology以前一年不断与先进晶圆产物制作商IQE相助，及质料保存能耐长达千年等特色。
Quinas首席实施官兼配合停办人James Ashforth-Pook也展现，而且为全天下初创， 新一代内存UltraRAM已经豫备投入量产 质料保存能耐长达千年" src="https://img.3dmgame.com/uploads/images/xiaz/20250829/1756445792_395700.jpg" />
为 UltraRAM开拓出可扩展的磊晶制程，UltraRAM被视为散漫DRAM与NAND短处的新型存储器，